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EKSMA硒化镓晶体GaSe-10H1 是立陶宛EKSMA Optics公司生产的一种高性能非线性光学晶体。
用于产生太赫兹THz的GaSe（硒化镓）晶体显示出高达41 THz的大带宽。GaSe是负单轴层状半导体，具有62 m点组的六边形结构，在300 K时的直接带隙为2.2eV。GaSe晶体具有高损伤阈值，较大的非线性光学系数（54 pm / V），合适的透明范围和低吸收系数，这使其成为宽带中红外电磁波产生的替代解决方案。由于使用低于20 fs的激光源产生和检测宽带太赫兹，因此与使用薄的ZnTe晶体相比，GaSe发射器-探测器系统的性能可达到相当甚至更好的结果。为了实现频率选择性太赫兹波的产生和检测系统，应使用适当厚度的GaSe晶体。
高性能：高非线性系数、宽透明范围和低吸收系数，使其在非线性光学应用中表现卓绝。
灵活性：支持太赫兹波的频率选择性控制，适用于多种光学系统。
可靠性：高损伤阈值和稳定的物理性质，确保长期使用性能。
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产地 |
立陶宛 |
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晶体结构 |
GaSe（硒化镓）是负单轴层状半导体，具有六边形结构（62m点群），由镓（Ga）和硒（Se）元素组成，属于二维材料。其层状结构赋予它独特的电学和光学性质，适合用于光电子学和光电子器件领域。 |
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宽带太赫兹产生 |
GaSe-10H1晶体可产生高达41 THz的宽带太赫兹辐射，适用于太赫兹光谱、成像和通信等领域。 |
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高非线性系数 |
非线性光学系数达54 pm/V，远高于许多传统非线性晶体（如ZnTe），使其在光学频率转换中表现优异。 |
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宽透明范围 |
在红外光谱范围内透明，适合中红外波段的光学混频和频率转换。 |
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低吸收系数 |
超低吸收系数减少了光在传播过程中的损耗，提高了能量转换效率。 |
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高损伤阈值 |
抗损伤能力强，可承受高功率激光输入，适用于高强度光学应用。 |
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相对密度 |
5.03 g/cm³ |
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熔点 |
(960±10)℃ |
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硬度 |
莫氏硬度2，质地较软，易碎，需小心操作。 |
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解理面 |
沿(001)平面解理，限制了特定相位匹配角的切割可能性。 |
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尺寸 |
直径7 mm × 厚度0.01 mm（Z切） |
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表面质量 |
解理面（Cleaved） |
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安装方式 |
预装在25.4 mm直径环形支架中，便于集成到光学系统中。 |
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定制选项 |
支持厚度、切割方向和表面镀膜的定制，以满足特定应用需求。 |
太赫兹技术
太赫兹源：用于产生宽带太赫兹辐射，支持太赫兹光谱分析、成像和高速通信。
太赫兹探测器：与发射器配合，实现太赫兹波的高效探测。
频率选择性控制：通过调整晶体厚度，可实现对太赫兹波的频率选择性产生和检测。
激光技术
CO₂激光器倍频：将CO₂激光器的10.6 μm辐射转换为5.3 μm可见光，提高激光应用灵活性。
中红外波段光学混频：支持5.5 μm至18.0 μm范围内的不同频率产生，适用于中红外激光系统。
光学参量振荡（OPO）：通过非线性光学过程，将激光波长下转换至中红外波段，扩展激光应用范围。
光电子学
红外光电探测器：利用其在红外光谱范围内的透明性，开发高性能红外探测器。
光学调制器：用于光信号的调制和处理，支持高速光通信和光计算。
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