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产品介绍
铌酸锂薄膜光纤调制器（TLNM）系列具有驱动半波电压低至 2.8 V 和宽带高速（高达 40GHz）的优势。与传统的铌酸锂光纤调制器相比，TLNM 系列具有更有效率、更小、更短的波导，薄膜铌酸锂使其成为可能。低工作电压使其能够更有效地将射频信号转换为光信号，并方便使用函数发生器作为实验室应用的驱动器。它的偏压控制部分集成了一个微米加热器和一个用于反馈控制的光电探测器，以保持恒定的光偏压点。高速调制控制通过一个 SMA 连接器实现，而偏置控制则通过引脚实现。还可提供定制的特殊设计。
性能特点
- 低半波电压 ~2.8V
- 高达 60GHz 的速度
- 随电压线性增相
- 提供自动偏置驱动器
选型指南
技术参数
产地：美国
工作波长：1520...1567 nm
插入损耗：max.5.5 dB
回波损耗：27...40 dB
光输入功率：10 dBm
射频驱动电压：min.3.3 (1kHz)，typ.4 (1GHz) V
50kHz 时的 Vp：2.8...3 V
3dB 带宽 S21（2GHz 起）：直流max.40 GHz
射频回波损耗 S11（10MHz 至 40 GHz）：max.10 dB
射频端口电阻（直流）：max.50 Ω
射频输入功率：max.30 dBm
偏置端口电阻（直流）：max.1 MΩ
加热器偏置电压：0...4 V
射频摆动电压
X2:4：-4.46...+4.46 V
X2:5：-891...+891 V
ER 有效值电压
X2：4：max.3.16 V
X2：5：max.6.30 V
工作温度：-1...60 °C
存储温度：-45...85 °C
产品尺寸
产品应用
雷达
RoF
实验室用途
概念验证
仪器
苏州长显