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Agiltron飞瓦光电探测器HGDT

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产品介绍

Agiltron HGDT 系列光电探测器具有非常高的增益,是光谱和荧光测量等低照度检测应用的理想之选。我们可以检测亚微瓦至 0.5 纳瓦范围内的光信号,当与斩波器和锁相放大器配合使用以降低测量带宽时,这些光电探测器可以达到飞瓦级的灵敏度水平。我们的 PIN 光电探测器直径为 1 毫米,可探测 300 至 1050 纳米的光线。2153 型有一个直径为 1 毫米的 InGaAs PIN 光电探测器,工作波长为 800 至 1700 纳米。这些装置的典型响应曲线见第 24 页的 “响应 ”部分。215X 型的内部电路由一个光电探测器和一个电子增益级组成。通过对放大器-电阻对的精心选择和设计,我们的光电接收器实现了令人难以置信的高增益和低噪音性能。大反馈电阻用于实现高跨阻抗增益值,而超静音放大器则将噪声降至更低。

该器件由标准 9V 或外置低噪声电源供电(可购买)。底部有一个 M4 安装螺纹。

性能特点
  • 毫微瓦灵敏度
  • 低噪声
  • 光纤耦合/自由空间
  • 供电运行
  • 电池操作
选型指南

技术参数

产地:美国

探测器直径:1 mm

波长

硅:400...1000 nm

砷化镓:850...1650 nm

EX-InGaAs:1600...2350 nm

峰值响应:1 A/W

增益max.

DC/AC Low:2*1010V/A

交流高电平:20*1010V/A

上升/下降时间:100 ns

带宽max.:直流 800 Hz

净功率:23 fW/Hz

输出阻抗:100 Ω

偏置电压:max.9 V

光损伤阈值:max.10 mW

工作温度:0...40 °C

光学输入:自由空间,FC/PC

电气输出(直流耦合):公 BNC

电池:内置9V

产品尺寸

产品应用

一般实验室使用

仪器

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