近红外发光二极管(IRLED)有宽、中或窄输出模式,可采用坚固的密封封装。金属外壳是更好散热的理想选择,工作温度为-65°C至+150°C。光电二极管的IRLED提供广泛的线性功率输出,并可用于高速等级。
产地:法国
总功率输出,Po:3 mW
峰值发射波长,λP:810nm
50%时的光谱带宽,Δλ:50 nm
半强度光束角,θ:8°
正向电压,VF:max.1.8 V
反向击穿电压,VR:3 4 V
电容,C:150 pF
上升时间:60 ns
下降时间:60 ns
功耗:180 mW
连续正向电流:100 mA
峰值正向电流(10µs,150 Hz):3 A
反向电压:3 V
铅焊接温度(1/16“,距外壳10秒):240°C
储存和工作温度范围:-65°C至150°C
接线盒温度:150°C